最大电压/最大电流

10kV/1500A

3kV/1500A

最小脉冲宽度

10μs

10 μs

测量参数

阈值电压(V(th),Vge(th))

是

是

传输特性(ld-Vgs,lc-Vgs)

是

是

导通电阻(Rds-on,Vce(sat))

是

是

栅级泄露电流(lgss,lges)

是

是

输出泄漏电流(ldss,lces)

是

是

输出特征(ld-Vds,lc-Vce)

是

是

击穿电压(BVds,BVces)

是

是

栅极电荷(Qg.Qg(th)、Qgs,Qgd,Qsw,Qsync)

是

是

栅极电阻(Rg)

是

是

器件电容(Ciss,Coss,Coss_eff,Crss,Cgs,Cgd,Cies,Coes,Cres

是

是

切换损耗

否

是

Datasheet特性

否

是

自动IV测试切换

是

是

自动CV测试切换

是

是

自动IV/CV测试切换

否

是

GaN电流崩塌测量

是

否

On-wafer在片测量

是(IV/CV/Qg/电流崩塌)

是(IV)